Големина на текста:
1
ТУ-София
ФЕТТ, катедраЕлектронна техника
Полупроводникови елементи
Имефак.
Факултетгрупа
Дата
И З С Л Е Д В А Н Е
Н А П О Л У П Р О В О Д Н И К О В И Д И О Д И
З А Д А Н И Е:
I. Въпроси за предварителна подготовка :
1. Начертайте полупроводников диод поляризиран в права посока и със стрелка
означете посоката на протичащият ток.
2. Начертайте полупроводников диод поляризиран в обратна посока и със
стрелка означете посоката на протичащият ток, колкото и малка да е неговата стойност.
3.Напишете уравнението на ВАХ на диод :
а) във вида I
F
= f(U
F
) ; б) във вида U
F
= f(I
F
) ;
в)напишете формули за определяне на статичното съпротивление R
СТ
и
диференциалното съпротивление r
d
;
г) дефинирайте основните парамери: ток на насищане и коефициент на
неидеалност.
4.В обща координатна система начертайте ВАХ на полупроводникови диоди от Si
и Ge. За двата диода посочете приблизителни числени стойност на напрежението в
право свързване U
F
и обратния ток на диода I
R
. При кой от диодите започва да протича
ток при по-ниско наптежение в права посока и защо? При кой от диодите протича по-
малък ток в обратна посока I
R
и защо?
5.В обща координатна система начертайте ВАХ на полупроводников диоди от Si
при две различни температури Т
1
>Т
2
. Как се променя U
F
при повишаване на
температурата? Кой параметър на диодите оценява тази зависимост и каква е типичната
му стойност? Как се променя I
R
при повишаване на температурата?
6. Начертайте схема на Si диод поляризиран в права посока. В схемата освен
диода включете захранващ постояннотоков източник Е=10V и токоограничаващ
2
резистор R= 1.5k, последователно на диода?. Определете стойността на протичащият
през диода ток IF, както и R
ст
и r
d
.
Забележка !
-отговорите на поставените въпроси касаят предварителната подготовка на
студентите за лабораторните упражнения по дисциплината ППЕ . Това е теоретичната
част на протокола за конкретното упражнение.
-всеки студент в началото на упражнението представя в писмен вид (под-
готвени на ръка) отговорите на така поставените въпроси . При липса на този материал
студентът не се допуска до лабораторно упражнение.
II.Практически измервания :
1.Да се снеме ВАХ в права и обратна посока на Ge изправителен диод Д7Ж при две
различни температуриТ
1
/25?C/ и Т
2
/50 ?C/.
2.Да се снеме ВАХ в права и обратна посока на Si изправителен диод Д226 при две
различни температуриТ
1
/25?C/ и Т
2
/50 ?C/ .
3.Да се снеме ВАХ в права и обратна посока на Si Шотки диод BAT85 при две
различни температуриТ
1
/25 ?C/ и Т
2
/50 ?C/.
III. Графична част :
1.Да се построят в обща координатна система ВАХ на Si диод и Ge диод за двете
температури.
2. Да се построят в обща координатна система ВАХ на Si диод и Si Шотки диод за
двете температури.
IV.Изчислителна част.
1.Да се определи стойността на емпиричния коефициент m за изследваните диоди.
2.Да се определи посредством изчислената стойност на m, стойността на I
S
за из-
следваните диоди и се сравни с опитно измерената стойност , ако има такава.
3.Да се определи I
S
за Ge диод при стайна температура, посредством измерената
стойност на I
S
при Т
2
. Да се сравни получената стойност с изчислената в т.2.
4.Да се определят R
ст
и r
d
от опитните данни за стойност на тока I
F
=10ma за изслед-
ваните диоди. Да се сравнят стойностите на R
ст
и r
d
. Да се определят аналитично R
ст
и r
d
и се сравнят с определените от опитните данни.
5.Да се определи стойността на TKU
F
за стойност на тока I
F
=20ma за изследваните
диоди .
У К А З А Н И Я З А Р А Б О Т А.
I.Практически измервания :
Първоначално се извършват всички измервания при стайна температура.За
целта от съответния превключвател се избира диода ,който ще се изследва - напр.
3
Д7Ж. От превключвателят за избор на посоката на включване на диода се избира пра-
ва или обратна посока.
При снемане на ВАХ в права посока със съответният потенциометър от макета
се задават стойности на тока, протичащ през диода /съгласно табл.1./, и се измерва
напрежителният пад върху него. Протичащият през диода ток се измерва с ам-
перметър, обхватите на който се избират чрез съответният галетен превключвател.В
началото се избира някой от по- малките обхвати и се задават малки стойности на тока -
напр.100мка,500 мка. и т.н. Целта е да се снемат няколко точки в началото на ВАХ ,
когато диодът се отпушва.След това се преминава на по -големите обхвати и се
задават останалите стойности на тока/табл.1./.Падът на напрежение върху диода се
измерва с цифров волтметър.Той трябва да се постави на обхват 2000 mV /2V/
-отчетите са директно в mV. По този начин трябва да се снемат поне 10 точки от
ВАХ.Получените стойности за тока и напрежението се представят в протокола в табли-
чен вид.
табл. 1
I
F
, mА00.10.5124689 10 11 12 15 20
U
F
,mV
25°C
Ge диод
(Д7Ж)
Si диод
(Д226/1N4002)
Si Шотки диод
BAT85
U
F
,mV
50°C
Ge диод
(Д7Ж)
Si диод
(Д226/1N4002)
Si Шотки диод
BAT85
При снемане на ВАХ в обратна посока се задават стойности на обратното напре-
жение /табл.2./ ,приложено върху диода и се отчита протичащият през него обратен
ток. Първоначално се избира най-ниския обхват на амперметъра и след това при уве-
личаване на напрежението,ако се наложи,се преминава на по-голям обхват. Напре-
жението се измерва отново с цифровия волтметър,но на обхват 200 V./ ВНИМАНИЕ !!
Ако изследвате диод BAT85 обратното напрежение не трябва да получава стой-
ности по-големи от 20V/. По този начин трябва да се снемат поне 6-8 точки от
ВАХ.Получените стойности за тока и напрежението се представят в протокола в
табличен вид.
табл. 2
U
R
, V 0 1 2 4 6 8 10121520406080 100
I
R
,µА
25°C
Ge диод
(Д7Ж)

Това е само предварителен преглед

За да разгледате всички страници от този документ натиснете тук.

Ценерови диоди

Протокол за ценерови диоди по полупроводникови елементи...
Изпратен от:
mimsssu
на 2014-12-07
Добавен в:
Протоколи
по Електромеханични системи и устройства
Статистика:
4 сваляния
виж още
 
Подобни материали
 

Изследване не полупроводникови диоди


Полупроводников диод: полупроводниковият диот (ПД) е елемент с преходен слой на границата между полупроводникови области с различна проводимост (PN преход); контактна метал-полупровоник (шотки контакт)...
 
Онлайн тестове по Електромеханични системи и устройства
Тест по магнитно-измервателни преобразуватели
тематичен тест по Електромеханични системи и устройства за Студенти от 2 курс
Тест върху материала за магнитно-измервателни преобразуватели, квантови, фероиндукционни и др. преобразуватели. Въпросите имат само един верен отговор
(Труден)
9
4
1
1 мин
10.09.2013
Тест по електрически машини и апарати за 10-ти клас
междинен тест по Електромеханични системи и устройства за Ученици от 10 клас
Междинен тест по предмета Електрически машини и апарати за 10 клас на Профилирани гимназии. Тестът съдържа 10 въпроса, всеки от които има само един верен отговор.
(Лесен)
10
26
1
1 мин
18.08.2014
» виж всички онлайн тестове по електромеханични системи и устройства

Ценерови диоди

Материал № 1136574, от 07 дек 2014
Свален: 4 пъти
Прегледан: 14 пъти
Предмет: Електромеханични системи и устройства
Тип: Протокол
Брой страници: 5
Брой думи: 1,111
Брой символи: 6,037

Потърси помощ за своята домашна:

Имаш домашна за "Ценерови диоди"?
Намери бързо решение, с помощтта на потребители на Pomagalo.com:

Последно видяха материала
Сродни търсения