Големина на текста:
1. MOS    транзистори     устройство,   принцип   на   действие
видове, статични характеристики и параметри, еквивалентна 
схемаМощни  MOSFET, IGBT – транзистори.
Принципната структура на MOS транзистора е следната в
полупроводников монокристал с относително високо съпротивление са
създадени чрез дифузия две силно легирани области с противоположен тип
проводимост. Повърхността между дифузионните области е покрита чрез
термично окисление с тънък слой силициев двуокис, върху които е нанесен
метален електрод гейт (G). Едната от дифузионните области се нарича
сорс (началото на канала), а другата дрейн (край на канала). Чрез
метализация са направени изводи от сорса (S), дрейна (D) и подложката
(В).
Съществуват два типа MOS – транзистори с индуциран канал и с вграден
канал. В MOS транзистори с индуциран канал, проводящ канал между
областите на сорса и дрейна се създава при прилагане на напрежение с
определена полярност и големина между гейта и подложката. При MOS
транзистори с вграден канал по технологичен път под гейта е формиран
проводящ канал, свързващ областите на сорса и дрейна.
Според на проводимостта на канала MOS транзисторите са с Р и с N
канал.
Принципът на действие се основава на полевия ефект. Състои се във
възможността за промяна на проводимостта на канала между сорса и
дрейна с помощта на външно напрежение, приложена на гейта. Нормално
сорсът и подложката са свързани накъсо. В реалната MOS структура
съществуват електрически заряди в изолационния слой с плътност Q
SS
и
заряди на границата диелектрик полупроводник с плътност Q
. Те се
дължат на повърхностни енергийни състояния на силиция, уловки и
йонизирани примеси в окиса и на разделителната повърхност и други.
Зарядите в изолационния слой се разделят на фиксирани и
подвижни.подвижните заряди могат да променят местоположението си в
обема на слоя под влияние на външни фактори (ел. поле, температура).
С увеличаване на гейтовото напрежение над праговото концентрацията на
подвижните токоносители в канала расте, MOS транзисторите с
индуциран канал работят в режим на обогатяване.
В MOS транзистори с вграден канал във веригата дрейн сорс протича
ток и при нулево напрежение на гейта. При подаване на отрицателно
напрежение на гейта на транзистор с Р тип вграден канал концентрацията
на токоносителите в канала се увеличава и дрейновият ток расте.
Статични характеристики на MOS – транзистори
Изходни статични характеристики на MOS транзистори се описват от
зависимостите І
D
= ? (U
DS
) при U
GS
= const

Това е само предварителен преглед

За да разгледате всички страници от този документ натиснете тук.

MOS – транзистори

MOS – транзистори – устройство, принцип на действие, видове, статични характеристики и параметри, еквивалентна схема. Мощни MOSFET, IGBT – транзистори....
Изпратен от:
делянка денчева
на 2010-02-11
Добавен в:
Лекции
по Механика
Статистика:
40 сваляния
виж още
Изтегли
Материалът се намира в следните категории:
Лекции по Механика рядко сваляни с 3 страници от преди повече от година Други
 
 

MOS – транзистори

Материал № 455821, от 11 фев 2010
Свален: 40 пъти
Прегледан: 67 пъти
Качен от:
Предмет: Механика
Тип: Лекция
Брой страници: 3
Брой думи: 674
Брой символи: 4,370

Потърси помощ за своята домашна:

Имаш домашна за "MOS – транзистори"?
Намери бързо решение, с помощтта на потребители на Pomagalo.com:

Намери частен учител

Атанас Тодоров
преподава по Механика
в град Пловдив
с опит от  12 години
50

инж. Димитър Господинов
преподава по Строителство, Теоретична механика и Строителна механика, съпротивление на материалите
в град Стара Загора
с опит от  1 години
10

виж още преподаватели...
Последно видяха материала